CAS 号：12036-21-4

产品介绍

二氧化钒(VO2)具有众所周知的金属-绝缘体相变，已被用来实现光电探测器、调制器和致动器中有趣的智能功能而晶圆级自支撑VO2(f-VO2)薄膜对于将V02与其他材料集成到多功能器件至关重要。遗憾的是，由于晶圆级刻蚀需要很长的时间，而且无论在酸性还是碱性腐蚀液中都会破坏两性V02，所以尚未制备出晶圆级f-VO2。采用纳米针孔渗透-刻蚀(NPE)技术，在6分钟内即可获得品圆级f-VO2薄膜，远低于侧面刻蚀(数千分钟)。

应用领域

1、研究人员采用反应磁控溅射和退火工艺在Si02衬底(Si02/si或石英衬底)上制备了具有纳米针孔结构的VO2薄膜。随着V02薄膜在退火过程中由光滑的V02薄膜转变为颗粒状的多晶V02薄膜，纳米针孔在V02晶界附近自然形成，并均匀分布在VO2薄膜上，使缓冲氧化物刻蚀(BOE)溶液通过NPE去除了VO2/Si02界面。湿法蚀刻释放过程通过BOE从众多纳米针孔渗透到整个V02薄膜上，能够快速一步制备晶圆级f-VO2薄膜。2、研究发现f-VO2薄膜保持了其原始的金属到绝缘体的转变和固有的机械性能，并且可以顺畅地转移到任意的衬底上。

3、研究人员将制备的f-VO2薄膜集成到各种大规模智能器件中，包括太赫兹调制器、可伪装光致动器和温度指示条，它们显示出低插入损耗、快速响应和低触发功率的优势。因此，这些f-VO2薄膜通过与其他功能材料的异质集成，实现了更有趣的应用。