在半导体、先进功能材料、量子器件等高端研发领域，分子束外延（MBE）是制备原子级精度、高纯度单晶薄膜的核心工艺，而高稳定性、可定制化的 MBE 装置，是科研机构与企业突破材料工艺瓶颈的核心设备。传统 MBE 设备要么灵活性不足，要么无法适配复杂工艺，难以满足多场景研发需求。

ARIOS 分子束外延 MBE 真空镀膜设备，为分子束外延工艺研发提供了全自主设计的专业解决方案。这款设备由日本 ARIOS 拥有 20 年以上制造经验，从分子束源、RHEED、BFM 到控制单元全自研，可根据客户需求定制设计，支持 1"~6" 基板、Ⅲ-Ⅵ 族材料外延，**适配半导体材料研发、单晶薄膜制备等多场景使用。

设备搭载超高真空系统，可实现 1×10⁻⁸Pa 以下的极限真空，通过彻底的加热脱气处理，保障清洁真空环境下的成膜质量。支持丰富选配，可搭载 RHEED、BFM、辐射热源等监测模块；排气与工艺操作可自动运转，通过触控面板实现一键自动化运行。搬运系统支持托盘输送、转输阀输送，可实现自动搬运，操作便捷性拉满。基板**加热温度达 800℃（可选 1000℃），可满足各类高温外延工艺需求。

无论是半导体材料的单晶薄膜外延工艺探索、量子器件的材料研发，还是先进功能材料的表面改性，ARIOS 分子束外延 MBE 真空镀膜设备都能提供稳定、高效的实验支持。作为日本 ARIOS 的专业设备，产品凭借全自主设计、高灵活性的优势，成为分子束外延工艺研发的信赖之选，助力企业突破材料工艺瓶颈，是高端薄膜制备的核心设备。