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MOCVD石墨基座品牌
国瑞新材产地
辽宁样本
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MOCVD石墨基座
国产石墨
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等静压石墨-光纤、半导体
公司研发专用于光纤、半导体领域的石墨件，适用于多种场景
**代半导体(硅晶圆拉晶、外延、SOI)：加热器、坩埚、保温桶、导流筒等热场部件
第三代半导体(PVT法生产SiC单晶、GaN衬底外延)：坩埚、保温加热石墨件、透气板、衬底外延用石墨、多孔石墨
光纤：加热器、保温管、马弗管等石墨器件
其他：芯片封装、离子注射及刻蚀、泡生法蓝宝石
光纤、半导体用等静压石墨产品规格及技术指标
| 指标 | 单位 | GRB1 | GRB2 | GRB3 |
| 体积密度 | g/cm³ | 1.78-1.80 | 1.80-1.82 | 1.82-1.85 |
| 抗折强度 | Mpa | 45.00 | 50.00 | 55.00 |
| 肖氏硬度 | HS | 55.00 | 65.00 | 68.00 |
| 电阻率 | μΩ·m | 11-13 | 11-13 | 11-13 |
| 热膨胀系数 | 10-6/℃ | 4.50 | 4.70 | 4.80 |
| 气孔率 | % | 12.00 | 10.00 | 8.00 |
| 平均粒度 | μm | 12 | 10 | 10 |
注：1）热膨胀系数试样为10*50mm，温度为RT-600℃温度
2）产品指标与规格可根据客户要求定制
3）总灰分<5ppm，微量元素含量均可满足半导体要求
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