
主要材质:
氧化铝30%形状:
液体莫氏硬度:
9密度(kg/m³):
3.98达西浓/Dashinou磨料
达西浓/DashinouDXN-AL-30
国产磨料
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氧化铝研磨液
在半导体制造领域,超精密半导体研磨液作为关键工艺材料,直接决定了晶圆表面的平整度与器件性能的可靠性。超精密半导体研磨液DXN-AL-30 通过化学机械抛光(CMP)技术实现表面处理,其作用机制是化学腐蚀与机械研磨的协同效应。导体芯片制造中,晶圆经过刻蚀、离子注入等工艺过程,表面会变得凹凸不平,并产生多余的表面物等。为降低晶圆表面的粗糙度、起伏和不平度,去除晶圆表面多余物,有效实施后续工序,需要使用抛光液等抛光材料在专用设备上对晶圆进行多次抛光处理。达西浓纳米生产纳米氧化铝研磨液,稀土研磨液,液体分散均匀,不团聚,悬浮性好,抛光速度快,表面质量高。

半导体研磨液参数如下:

粒度测试数据如下:

氧化铝研磨液DXN-AL30特点:
1.液体颗粒均匀,流动性,稳定性好;
2.抛光精度高,产品质量高;
氧化铝研磨液DXN-AL30应用于:
导体芯片制造中,晶圆经过刻蚀、离子注入等工艺过程,表面会变得凹凸不平,并产生多余的表面物等。为降低晶圆表面的粗糙度、起伏和不平度,去除晶圆表面多余物,有效实施后续工序,需要使用抛光液等抛光材料在专用设备上对晶圆进行多次抛光处理。
氧化铝研磨液包装:25kg/桶
超精密半导体研磨液作为关键工艺材料,直接决定了晶圆表面的平整度与器件性能的可靠性。超精密半导体研磨液DXN-AL-30 通过化学机械抛光(CMP)技术实现表面处理,其作用机制是化学腐蚀与机械研磨的协同效应。导体芯片制造中,晶圆经过刻蚀、离子注入等工艺过程,表面会变得凹凸不平,并产生多余的表面物等。为降低晶圆表面的粗糙度、起伏和不平度,去除晶圆表面多余物,有效实施后续工序,需要使用抛光液等抛光材料在专用设备上对晶圆进行多次抛光处理。达西浓纳米生产纳米氧化铝研磨液,稀土研磨液,液体分散均匀,不团聚,悬浮性好,抛光速度快,表面质量高。
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