原材料: T2/C1100

结构: Hat (dimple);Forged; Stiffener Ring

成型工艺:冲压/CNC

平面度:<0.05

粗糙度:外观面Ra0.2-0.6;粘接面Ra2.0以上

性能参数: 热导率401(W/mK)25℃℃，线膨胀系数17.7(CTEppm/°C)，密度9.0(g/cm'镀层处理: 化学镀镍/电镀镍、镀层厚度2-10um

盐雾时间: 48hrs

高温考核:270°C30min

应用封装:用于个人计算机的和服务器的CPU封装，汽车设备的SOC/FPGA封装，通信设备的处理器封装，游戏系统处理器和图像处理器以及人工智能处理

醤等封装

材料特性:热导率高、价格便宜、成型容易，可做多种结构设计，可大批量生产