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介绍：磷化铟（InP）是一种III-V族化合物半导体，具有直接能隙（1.34 eV）、高电子迁移率和优异的光学性能。其低光损耗和高带宽特性使其成为高速电子和光电子器件的重要材料。
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应用：磷化铟广泛应用于光通信、激光器、光探测器和高速电子器件，特别适用于1.3μm和1.55μm波长的光纤通信系统。它还用于雷达、卫星通信和高效光伏电池，在高频和高功率应用中表现出色。
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磷化铟单晶衬底（2~4inch） | |||
直径 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm |
厚度 | 350μm | 625μm | 625μm |
表面晶向 | <100> ± 0.5° | ||
正面状态 | Epi-polished | ||
反面状态 | SSP:Etched; DSP:Epi-polished | ||
总厚度偏差TTV | <10μm | ||
弯曲度Bow | <15μm | ||
边缘去除 | ≤3 mm | ||
导电类型 | N-Type | P-Type | Insulating |
掺杂元素 | S-doping | Zn-doping | Fe-doping |
电阻率 | N/A | N/A | >0.5E7ohm-cm |
位错密度(EPD) | ＜5000/cm2 | ＜500/cm2 | ＜5000/cm2 |
载流子浓度 | (0.8-8)*E18/cm3 | (0.8-8)*E18/cm3 | N/A |
电子迁移率 | 1000~2500cm2/v.s | 50~100cm2/v.s | >1000cm2/v.s |
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