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单晶硅
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晶体生长方法：CZ/MCZ
导电型号：P/N
直径：50-350mm
掺杂物：硼/磷
电阻率：0.001-100.Ω.cm
少子寿命：>10µs
晶向：<100>、<110>、<111>
熔点：1420℃
密度：2.33g/cm3
位错密度：无位错
纯度：6N-9N
氧含量（ppma）：≤20
碳含量（ppma）：≤1.0
电阻率晶向不均匀度：<15%
外观：无划痕、缺口等不良现象
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