金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)

产地：法国AS；

科研型MOCVD设备，也称为MOVPE，包含了**的液体直接注入工艺，同一腔室完成沉积和退火。

- 更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质！

- 非常适合高校及研究所科研使用！

应用：- 金属及合金， 氧化物， 氮化物， III-V， II-VI，...

- 半导体: SiO2， HfO2， Ta2O5， Cu， TiN， TaN， ...

- 氮化物及合金: GaN， AlN， GaAs， GaAsN...

- 高介电材料: SrTiO3， BaTiO3， Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...

- 铁电材料: SBT， SBTN， PLZT， PZT，…

- 超导材料: YBCO， Bi-2223， Bi-2212， Tl-1223， …

- 压电材料: (Pb， Sr)(Zr，Ti)O3， 改性钛酸铅...

- 金属: Pt， Cu，...

- 巨磁阻材料...

- 热涂层， 阻挡层， 机械涂层， 光学材料...

- 其他…

仪器参数：1/ 1~8英寸MOCVD系统；

2/ 专为满足科研单位需求而设计；

3/ MC050 MOCVD系统可在不同基底上，以MOCVD方式，在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V 和 II-VI膜层；

4/ MC050 MOCVD配有前驱体直接处理单元，可在大范围内使用MO源，用于外延材料的研发和制备；

5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺；

性能及特点：1/ 温度范围: 室温至1200°C ；

2/ 带质量流量控制器的气体混合性能；

3/ 真空范围: ~ 10^-3 Torr，可选配高真空；

4/ 选配手套箱；