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PVT碳化硅SiC单晶炉主要用于6英寸碳化硅SiC单晶材料的生长，碳化硅具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能**、商品化程度**、技术*成熟的第三代半导体材料。
第三代功率半导体器件已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景。国际**企业已经开始部署市场，全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。
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