产品描述

99.99%高纯氧化铝造粒粉采用高纯氧化铝原料制备，具有高纯度、高致密化能力、优异的机械强度以及稳定的烧结性能。

产品烧结后具有高密度、低吸水率和优异的抗弯强度，适用于对材料纯度和性能要求较高的先进陶瓷领域。

具体应用

半导体及液晶面板制造设备零部件

用途：用于干压/等静压成形制造半导体刻蚀机腔体衬里、等离子体抗耐蚀件、晶圆吸盘（静电吸盘）、陶瓷搬运臂等。

为什么必须用 4N：半导体制造对微量金属杂质（如 Fe, Na, Ca, Si）极度敏感，4N 高纯粉能**程度避免在刻蚀或高温过程中对晶圆造成微量金属污染。

蓝宝石单晶生长原料及耐火材料

用途：作为高纯蓝宝石单晶（LED 衬底、智能手机/手表镜头盖板、**光学窗口）的烧结原料或熔炼填料，以及制造蓝宝石生长用的高纯坩埚。

高端电子陶瓷与基板（如 DBC/AMB 基板）

用途：制造用于高功率绝缘器件、功率半导体模块（IGBT）的高热导率、高绝缘性氧化铝陶瓷基板和微波介质陶瓷部件。

精密耐磨与医疗级陶瓷部件

用途：人工关节（如氧化铝股骨头/髋关节）、高精度陶瓷轴承、高压水刀喷嘴、精密阀芯及半导体级高纯计量泵阀。

高压/高频绝缘与光学陶瓷件

用途：透光氧化铝陶瓷（PCA，用于高压钠灯、金属卤化物灯发光管）、激光器反射腔体、高压电力绝缘件等。

技术指标

项目	指标
材质	氧化铝
Al₂O₃含量	≥99.99%
颜色	白色
松装密度	1.2 g/cm³
生坯密度	2.4 g/cm³
烧结密度	3.9 g/cm³
D50粒径	0.5 μm
比表面积	4.6 m²/g
吸水率	0%
抗弯强度	500 MPa
收缩率	16.2%
烧成条件	1550℃×3h

核心优点

1. 极高的化学纯度与抗污染能力

• 超低杂质含量：总杂质含量≤0.01%，极大程度地减少了铁，钠等杂质对电学性能和光学性能的干扰

• 耐强腐蚀与耐等离子体冲刷：纯度越高，晶界处的低熔点杂质相就越少，在半导体强酸/强碱刻蚀或强等离子体轰击下，不易发生晶界腐蚀脱落（Flaking）。

2. **的物理、电学与光学性能

• 超高电绝缘性与低介电损耗：在高温、高压和高频环境下依然保持极高的击穿电压与极低的介电损耗。

• 更高的力学强度与致密度：烧结后几乎无气孔，致密度可无限接近理论密度3.98g/cm3，弯曲强度与硬度比普通氧化铝大幅提升。

• 优异的光学透过性：高纯度避免了杂质引起的着色与光散射，可用于制造半透明或透明光学陶瓷。

3. 造粒粉特有的工艺优势（适合自动化成形）

• **的球形度与流动性：通过喷雾造粒将超细 4N 粉体转化为高流动性的球形颗粒，非常适合自动化干压（Dry Pressing）和等静压（CIP）工艺。

• 生坯密度高且均匀：充填模具无死角，有效防止因压制不均导致的烧结开裂、变形或尺寸超差。

• 降低生产粉尘与污染风险：