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半绝缘型4H-SiC衬底片品牌
产地
深圳样本
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-目数：
-碳化硅粉
半绝缘型4H-SiC衬底片
国产碳化硅粉
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衬底尺寸：4~6英寸
晶片厚度：500 μm ± 15 μm
电阻率：≥1E10 Ω·cm
用途：主要用于外延GaN高功率射频器件，应用于微波射频领域。
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