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碳化硅衬底
碳化硅衬底

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碳化硅衬底

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碳化硅作为第三代半导体具有一系列优良的物理化学特性,碳化硅器件相对于硅器件的优势如下:

    耐高温:碳化硅的禁带宽度和热导率均为硅的 3 倍左右(Si 1.12eV  SiC 3.23eV),理论上碳化硅器件能在超 600℃的环境下工作,硅器件的极限工作环境局限在175℃


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