博雅新材4英寸SiC衬底片-参数-价格-中国粉体网

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眉山天乐半导体4英寸SiC衬底片产品标准 4-inch SiC Substrate Specification
序号 Item	等级 Grade	精选级（Z级） Zero MPD Grade	工业级（P级） Production Grade	测试级（D级） Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏离度 Surface orientation error	Off axis：4.0°toward <11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1	掺杂剂 Dopant	Nitrogen
2.2	电阻率 Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1	直径 Diameter	99.5mm-100.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位边方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位边长度 Primary Flat Length	32.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	≤2.5μm	≤2.5μm	≤5μm
3.6	总厚度变化 TTV	≤5μm	≤5μm	≤15μm
3.7	弯曲度**值 BOW	≤25μm	≤25μm	≤40μm
3.8	翘区度 Warp	≤25μm	≤35μm	≤60μm
3.9	正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra≤1nm
4.结构 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	≤0.1cm-2	≤0.2cm-2	≤15cm-2
4.3	螺位错 TSD	≤200cm-2	≤500cm-2	≤1000cm-2
4.4	基平面位错 BPD	≤400cm-2	≤800cm-2	/
4.5	刃位错 TED	≤2000cm-2	≤4000cm-2	/
5.正面质量 Front Quality
5.1	表面处理 Surface finish	CMP
5.2	颗粒 Particle
5.3	划痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶型 Polytype areas	None	None	Cumulative area ≤3%
5.6	正面激光标记 Front marking		/
6.背面质量 Back Quality
6.1	背面处理 Back finish		CMP
6.2	背面划痕 Scaratches	None	None	Cumulative length ≤1x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙度 Back roughness	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.5 mm
6.5	背面激光标记 Back marking		距离边缘1mm ( from top edge)
7.边缘轮廓 Edge
7.1	边缘轮廓 Edge exclusion	3 mm
8.包装 Packaging
8.1	激光标记 Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包装 Packaging	单片或25片包装
Notes: None means no request.