一、产品介绍

碳化硅晶体材料是新一代宽禁带半导体材料,可以突破硅基半导体材料的理论限制,它具有热导率高(硅的3倍)、击穿电场强度高(硅的 10 倍)、饱和电子漂移速度高(硅的2倍)、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性、与 Ga N 晶格失配小(4%)等特点，是新一代发光二极管(LED)衬底材料、大功率电力电子材料。

本公司生产的此类产品主要针对第三代半导体碳化硅单晶的生长需求，粒径可实现百微米到毫米级精准控制，产品纯度可达6N和6.8N两个级别，其中半绝缘型产品氮含量低于 0.5ppm,导电型产品氮含量可根据需求选择不同含量区间（<5ppm；5ppm-20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm）类型。

二、电镜图

三、粒度图