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CVDGEPET 7440-44-0品牌
碳丰产地
苏州样本
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单层连续薄膜二硫化钼薄膜蓝宝石基底,
单层连续薄膜二硫化钼薄膜SIO2/SI基底,
单层连续薄膜二硫化钼薄膜石英基底
单层三角晶体二硫化钼薄膜蓝宝石基底
单层三角晶体二硫化钼薄膜SIO2/SI基底
单层三角晶体二硫化钼薄膜石英基底
基本性质:
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。
制造方法：
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
产品简介：
碳丰科技的MoS2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3） 多层MoS2 连续薄膜。
4） 基底：MoS2可选基底较多，其中*常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
应用领域：
光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。
单层MoS2孤立晶粒
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基于氧化石墨烯荧光适体传感器的胰岛素检测 
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