关于碳化硅（SiC）外延片碳化硅外延片以碳化硅单晶片为衬底，通常采用化学气相沉积（CVD）方法在晶片上沉积一层单晶，形成外延片。 其中，碳化硅外延是通过在导电碳化硅衬底上生长碳化硅外延层来制备，进一步制作成功率器件。   2. 碳化硅外延片规格我司可提供4、6英寸N型4H-SiC外延片。该外延片禁带宽度大、饱和电子飘移速度高、存在高速二维电子气、击穿场强高。这些性能使得器件耐高温、耐高压、开关速度快、导通电阻低、体积小、重量轻。   3. SiC 外延应用 SiC外延片主要用于肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）、双极结型晶体管（BJT）、晶闸管（SCR）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT），应用于低压、中压和高压领域。目前，用于高压领域的SiC外延片在世界范围内处于研发阶段。