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热电性能分析系统 ZEM-5
说明：此产品售前技术交流服务和售后技术服务由北京柯锐欧科技负责，确保国内用户享受到*专业的技术支持！
技术特点：
适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料，提高测量精度
温度检测采用C型热电偶，*适合测量Si系列热电材料(SiGe， MgSi等) *HT型
真正可测基板上的纳米级薄膜（TF型）
**可测10MΩ高电阻材料
标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF | |
特 点 | 高温型 | 高电阻型 **电阻：10MΩ | 低中温型 | 薄膜型 可测在基板上形成的热电薄膜 |
温度范围 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
样品尺寸 | 直径或正方形：2 to 4 mm2 ； 长度3 ～ 15mm | 成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm 薄膜厚度：≥nm量级 薄膜样品与基板要求绝缘 | ||
控温精度 | ±0.5K | |||
测量精度 | 塞贝克系数：＜±７％； 电阻系数：＜±７％ | |||
测量原理 | 塞贝克系数：静态直流电； 电阻系数：四端法 | |||
测量范围 | 塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K；电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞贝克系数：10nV/K；电阻系数：10nOhm | |||
气 氛 | 减压Ｈｅ | |||
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