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L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。
基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。
基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.
系统可测试多种材料包括Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N 型或P型均可测量)， 金属膜， 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示
特点
? 载流子浓度
? 电阻率
? 迁移率
? 电导率
? α (水平电阻值/垂直电阻值)
? 霍尔常数
? 磁致电阻
| 输入电流: | 500nA 到 10mA (500nA 步长) |
| 霍尔电压: | 0.5 到 4.5V |
| 分辨率: | 65pV |
| 样品形状: | 15x15， 20x20， 25x25mm， 高度可达 5mm |
| 磁场强度: | 可达 1T |
| 传感器: | 液氮温度到 240°C |
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