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高纯铟
高纯铟

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型号

高纯铟

品牌

凯亚达

产地

浙江

样本

暂无
杭州凯亚达半导体材料有限公司

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第3年

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核心参数
  • 制作方法:

    -
  • 密度(kg/m³):

    7.31 g/cm3
  • 形状:

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    -
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    -
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高纯铟

1,纯度:4N(99.99%);5N(99.999%);6N(99.9999%)

2,物理性质:原子量:114.818

电负性:1.78

密度:7.31 g/cm3 (20℃)(0-100℃)

熔点:156.5985 ℃

沸点:2072 ℃

3,技术对接:铟阳极- 电解–真空熔炼(除去低熔点的铅,砷,镉,磷,汞,硫,硒等)-提拉法提纯--喷雾法制备铟粉—冷却—收尘;

4,检验:ICP-MS(4N:所有杂质元素总和低于100ppm),SEM(扫描电镜);

5,粒度:-100目;-200目;-325目;

6,氧含量检测:<15ppm;,

7,优势:不结团,分散性能好,氧含量低;

8,应用:电子浆料,ITO,In2O3, 锑化铟,磷化铟,氮化铟等;

9,包装:瓶装,瓶内充氩气保护,瓶外加铝复合薄膜真空包装;

10,服务:提供免费样品,MSDS及实用的防护措施,提供材料应用的解决方案。

11,规格:

化学纯度:

高纯铟:In-05 纯度99.999%以上,银,铝,砷,镉,铜,铁,镁,镍,铅,硫,硅,锡,铊,锌杂质总含量小于10ppm;

超纯铟:In-06 纯度99.9999%以上,镉,铜,铁,镁,铅,硫,硅,锡杂质总含量小于1ppm;

超高纯铟:In-07 纯度99.99999%以上,银,镉,铜,铁,镁,镍,铅,锌杂质总含量小于0.1ppm;

8,包装:三层真空包装或充氩气保护;


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10分

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10分

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