陆敏

推荐液相法：碳化硅晶体生长的“破局者”

中国粉体网讯 物理气相输运法（PVT）是产业化应用中最为常见的SiC单晶生长方法，但这一方法在生长p型4H-SiC和立方SiC（3C-SiC）单晶方面存在显著难度。PVT法的局限性使得在特定应用下，如高频、高压、大功率IGB[更多]