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中国粉体网讯 与第一代、第二代半导体材料相比，碳化硅半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等特性，以优异的物理性能，突破了传统半导体材料的发展瓶颈，可以满足现代电子技术对高温、高压、高频、高功率以及[更多]