碳化硅

推荐第三代半导体材料时代来临,哪些你熟悉的玩家入局了?

中国粉体网讯第三代半导体又称宽禁带半导体,禁带宽度在 2.2eV 以上,主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。相较于以硅(Si)、锗元素(Ge)代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb[更多]

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