碳化硅半导体

推荐聚焦低成本路线，攻坚高纯碳化硅粉体！李飞副研究员将亮相高纯碳化硅粉体制备大会

中国粉体网讯 碳化硅（SiC）材料具有化学稳定性和热稳定性好、优良的耐腐蚀性、宽禁带、高硬度（莫氏硬度仅次于金刚石，可达到9.2~9.5）、高熔点以及良好的力学和热传导性能等特点，已经成为第三代半导体的核心材料。目前，SiC[更多]

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