中国粉体网讯近期,国家知识产权局公开一批天科合达碳化硅领域核心专利,覆盖晶片加工、晶体生长、外延设备、坩埚设计、籽晶结构等全链条核心环节,全面提升碳化硅材料制备效率、良率与品质,以下为核心技术梳理。碳化硅晶片减薄方法对待处理[更多]
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