TaC 涂层石墨坩埚是 SiC 单晶 PVT 生长的革命性热场材料，以**耐蚀、低污染、长寿命、优温场四大核心价值，直接决定 SiC 晶体的缺陷密度、良率、成本与规模化能力，是当前 6/8 英寸 SiC 产业化的标配选择。