MPCVD

推荐高效“自剥离”！4英寸金刚石“自支撑”超薄膜突破，助力高性能芯片散热

中国粉体网讯 在高性能计算、大功率通信器件及3D封装持续演进的背景下，热管理已成为限制芯片进一步提速的核心技术瓶颈。尤其是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体在高频、大功率条件下所带来的高热流密度，使得传统硅基散[更多]

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