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产品简介
高真空磁控溅射系统
技术参数:
1高真空腔体:2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空,极限压力<5e-9 Torr
2排气速率:从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁)
3样品台:**4寸Wafer,可加热RT-300ºC
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