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产品简介
双腔型超高真空蒸镀系统
技术参数:
1高真空腔体:2个高真空腔体包括负荷锁及Evaporation,极限真空极限压力<2e-8 Torr
2排气速率:ATM到3E-7 Torr<20分钟(装载锁)
3基板加热:RT-600ºC
4离子束清洗:考夫曼离子源,离子能量100-600 eV, 100-1200eV; 离子束电流::20-200mA,或100基板刻蚀
均一性<3%
5高压电源:6-10千瓦电源,1-6源口袋
6成膜均匀性:<3%(6inch Wafer)
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