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GL6 R&D是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计，功能强大的多功能研发型纳米压印光刻设备。该设备可灵活集成包括高精度紫外纳米压印模块、晶圆级光学（Wafer Level Optics - WLO）压印模块以及热压印模块在内的不同配置，在一台设备上实现多种不同的纳米压印工艺。
高精度紫外纳米压印模块可在旋涂压印胶的晶圆上压印高精度（优于10nm *）、高深宽比（优于10：1 *）等微纳结构。WLO压印模块在精密点胶系统和主动模具基底平行控制（Automatic mold/substrate Parallel Control - APC）等技术加持下，可保证晶圆级微透镜等微光学器件压印精度、均匀性与良率，同时还可实现晶圆级堆叠（Wafer Level Stacking - WLS）工艺。热压印模块采用均匀气体施压方式，可实现大面积全幅压印过程中结构精度与高深宽比结构的填充，同时保证全幅压印均匀性。
该设备适合用作纳米压印光刻工艺开发，器件原型快速验证，纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，在GL6 R&D上开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产。GL6 R&D纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列（晶圆级光学加工、堆叠）、匀光片等应用领域。
相关参数
配置选择 | 高精度紫外压印模式 | WLO压印模式（选配） | 热压印模式（选配） |
兼容基底尺寸 | 20x20mm基底，2寸、3寸、100mm、150mm、200mm晶圆（特殊尺寸可定制） | ||
支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金属等 | ||
纳米压印技术 | 高精度紫外纳米压印（旋涂胶晶圆） 晶圆级光学压印（选配） 热压印（选配） 同步原位紫外压印/热压结合纳米压印（选配） | ||
压印精度 | 优于10纳米* | ||
结构深宽比 | 优于10比1* | ||
残余层控制/TTV控制 | 小于10nm* | 微米级精度* | 小于10nm* |
紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光强>300mW/cm2 | ||
自动压印 | 支持 | ||
自动脱模 | 支持 | ||
自动复制工作模具 | 支持 | ||
主动模具基底平行控制（APC） | / | 支持 | / |
施压方式 | / | / | 均匀气体施压，保证大面积压印均匀性 |
压印压力 | / | / | ≤50bar (可定制80bar) |
压印温度 | / | / | 室温至250℃ , 温度设置精度±1℃ |
设备内部环境控制 | 标配，外部环境class100，内部环境优于class 10* | ||
模具基底对位系统 | 手动对位、自动对位（选配） | ||
上下片方式 | 手动上下片 | ||
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