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产品分类
产品简介
测量原理(Measurement Principle)
激光干涉法(Laser Interfere)
适用范围(Scope of Application)
用于测量直径为2"、4"、6" & 8"晶圆片，适用材料包括：碳化硅（SIC）、金刚石(Diamond)、氧化镓（GaOx）蓝宝石(Sapphire)、碳酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(LnP)、硅(Si)、锗(Ge)、陶瓷(Ceramic)等二、三、四代半导体材料、玻璃(Glass) & 金属材料(Metal)
环境要求(Enviromental Requirments)
电源：AC220V/50HZ/1KW（带地线/空间无强磁干扰）
洁净度：美标百级（含）以上（环境内无酸碱气体）
地面：隔振地面
温/湿度：20℃±2℃/≤70%；无水气凝结
参数范围(Specification)
参数（Parameter） | 数值（Value） |
精度(Accuracy) | ±0.05μm |
重复精度（Repeatability） | 0.015μm |
分辨率（Resolution） | 0.005μm |
计算点数（Measured data points） | 230000 |
可测量晶片尺寸（Part Range） | 4"/6"/8" |
厚度范围（Thickness Range） | 100~1500μm |
厚度测量精度（Accuracy for Thickness） | ±0.5μm |
测试速度（Measurment Speed） | 80Ps/H |
测试结果（Test Result）
图形和数据（2D Drawing/3D Graphics & Data）
查询结果(Query Result )
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