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测量原理（Measurement Principle）
本机采用电容传感器(Capacitive Probe)及涡电流传感器(Eddy Probe)组成的电路间接获得晶圆表面及内部特征信息，通过计算得到Wafer晶圆的电学以及几何参数数据。
功能用途（Function）
用于对硅材料的测量，可以获得的参数包括：THK、WARP_3p 、BOW_3p 、TTV、THK_ave、THK_min、THK_max、Diameter、Resitivity、P/N型等8个参数，同时可以输出TTV和BOW/WARP的二维、三维图。
工件尺寸(Part Range)
Φ8或Φ12（Inch）晶圆
性能指标(Specification)
Parameter | Value |
厚度测量精度（使用玻璃标准片/25次静止重复/1sigma） | ±0.5µm |
重复性精度（StDev）（使用玻璃标准片/25次静止重复/1Sigma） | <0.1µm（标准模式） |
重复性精度（StDev） | <0.15µm（高速模式） |
分辨率 | 0.01µm |
重复性精度（BOW/warp） | <2µm+测量值*1% |
产能 | ≥50片/H |
电阻率测量精度(Resistivity Testing Accuracy)
测量范围：1.000-100.0Ω·cm
分辨率: 4位
电阻率重复精度：
LL/LHrange: σ/Ave< 0.2%~0.8%
HLrange: σ/Ave< 0.3%~1.0%
HHrange: σ/Ave< 0.3%~1.0%
直径测量精度(Diameter Test Accuracy)
重复精度：σ<20µm
其他功能(Other Function)
* 可以根据BOW/WARP 分档
* 负BOW可以翻面收纳
* Cassette 总数：4*2
* 使用普通片盒（不使用开合器）
* 输出二三维TTV及WARP图像
结果输出（Data Output）
2D厚度输出(2D TTV Drawing)
3D轮廓输出(3D Data Profile)
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