SiC外延技术

推荐SiC晶体外延生长的“奥秘”

中国粉体网讯 与传统硅功率器件制作工艺不同，SiC功率器件不能直接制作在SiC单晶材料上，必须在导通型SiC单晶衬底上使用外延技术生长出高质量的外延材料，然后在外延层上制造各类器件。之所以不直接在SiC衬底上制造SiC器件，[更多]