中国粉体网讯  第三代半导体又称宽禁带半导体，主要包括以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。相较于以硅(Si)、锗元素(Ge)代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)为代表的第二代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点和优势，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术。据中国粉体网了解，作为“隐形基石”的高纯石墨制品，在第三代半导体单晶生长中应用非常广泛，主要用于SiC单晶生长炉石墨坩埚和石墨加热器，还普遍用于GaN外延生长石墨基座和抗高温烧蚀涂层石墨基座等..【详细】