中国粉体网讯  化学机械抛光（CMP）技术能够消除芯片表面的高点及波浪形。CMP通过抛光液中化学试剂的化学腐蚀和机械磨削的双重耦合作用，在原子水平上去除表面缺陷，获得全局平坦化表面，因此，抛光液对抛光效果起到至关重要的影响。 CMP工艺  来源：何潮等，半导体材料CMP过程中磨料的研究进展CMP抛光液作为影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素，其组分一般包括磨料、氧化剂和其它添加剂。添加剂一般包括络合剂、螯合剂、缓蚀剂、表面活性剂，以及pH调节剂等。通常根据被抛光材料的物理化学性质及对抛光性能的要求，来选择所需的成分配置抛光液。 化学机械抛光液各组分  来源：王东哲等，化学机械抛光..【详细】