公司介绍
公司于2023年成立，专注于高性能碳化硅与金刚石材料及装备解决方案。拥有一支经验丰富的技术研发团队和产业化团队，与中国科学院重庆绿色智能技术研究院、重庆邮电大学联合攻关，研发并攻克高纯碳化硅粉体合成技术，产品具有超高纯度(99.99999%及以上)、超低含氧量（＜0.3wt%）、粒径尺寸均一、晶型一致（3C\4H含量＞99.5%）等优势，已应用于高端陶瓷、导热填料、固态电池添加剂等高端领域，实现规模化销售。 与中国科学院重庆绿色智能技术研究院共同研发金刚石单晶及复合热沉材料，在金刚石单晶和新型散热材料上取得重大进展，推出多款高端散热材料，成为解决高热流密度散热难题的理想选择，可满足
主推产品
β型3C相碳化硅微米粉产品介绍β相碳化硅(3C型)为立方晶系低温相碳化硅，是半导体、陶瓷、、航空航天、核工业、电池等领域核心配套粉体材料。本产品采用自研高温热固法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、超低氧含量、烧结活性优异、分散性好等核心特点，可全面适配航空航天、军工、高端陶瓷、新能源电池、半导体、表面工程等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。核心参数1、高纯度(5N及以上)；2、从纳米级至微米级精准定制，粒径0.3-200um；3、3C相含量大于99.5%；4、含氧量低至0.2wt%；5、类球形形貌；6、单晶颗粒粉料，具有更好的导热性、烧结致密
4H型α相碳化硅粉产品介绍α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅，是第三代半导体核心配套粉体材料，分为导电型和半绝缘型。本产品采用自研高温自蔓延合成法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、超低含氧量、高温稳定(>2000°C)、导热/绝缘性优等核心特点，可全面适配半导体衬底、陶瓷密封件/轴承、导热基片等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。核心参数1、高纯度(4N及以上)；2、纳米级至微米级精准定制；3、4H纯度>99%；4、超低含氧量＜0.5wt%（5000ppm）；核心优势高纯度产品纯度在4N以上，金属杂质ppm级管控(&l
导电型a相碳化硅长晶用粉N型氮掺杂低电阻率与高纯度兼备(7N及以上)亚微米至毫米级定制化生产α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅，是第三代半导体核心配套粉体材料，分为导电型和半绝缘型。本产品采用自研高温自蔓延合成法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、高温稳定(>2000°C)、导热/绝缘性优等核心特点，可全面适配半导体衬底、陶瓷密封件/轴承、导热基片等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。核心优势高纯度产品纯度在7N以上，金属杂质ppm级管控(<0.1ppm)，满足高端场景严苛要求晶型纯正独有工艺可实现4H/6H单晶型占比达
3C型β相碳化硅粉
面议4H型a相碳化硅粉
面议导电型a相碳化硅长晶用粉
面议组合推荐产品
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