中国粉体网讯 近日，深圳泰坦未来技术有限公司自主研发出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底。该材料具备优异导热性能，直指AI芯片、先进封装领域长期面临的“热墙”难题，将为AI芯片高效散热保驾护航，充分释放算力潜能。
这款多晶碳化硅材料导热率可达280W/(m・K)以上，导热性能为传统硅基材料的两倍有余。
来源：泰坦未来
伴随AI算力飞速迭代、半导体产业快速发展，高算力芯片运行过程中热量持续聚集，芯片温度急剧攀升。传统中介层与基板散热能力有限，热量难以快速导出，直接造成芯片性能下降，同时对器件运行稳定性与使用寿命带来严峻考验。散热问题，已然成为制约算力充分释放的关键瓶颈。
多晶碳化硅衬底可理解为芯片制造与封装过程中的核心垫板，承担器件支撑、导热散热的重要作用。凭借超高导热等核心优势，它能够将芯片散热效率提升30%以上，现已成为半导体先进封装、高端功率芯片制造赛道的刚需关键材料。
在产业应用中，多晶碳化硅既可充当复合衬底的底层支撑载体，其出众的热管理能力也催生出独立的应用市场。此前，泰坦未来已经实现6英寸、8英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底国产化落地，技术实力处于国内领先水平；此次更进一步，率先推出国内首款12英寸大尺寸多晶碳化硅衬底。该产品在高温稳定性、结构均匀性、服役寿命等关键指标上完成全方位优化，可适配AI先进封装散热基片、碳化硅外延衬底、晶体生长载板、高温制程散热等高端场景，补齐国内供应链短板，助力行业降本增效。
来源：长沙晚报
泰坦未来深耕多晶碳化硅（Poly-SiC）的技术研发、工艺迭代与工业化量产，持续攻坚材料致密化、高纯制备、大尺寸成型、应力调控等系列技术难题，打造适配半导体工艺需求的国产多晶衬底全套解决方案。国产化多晶衬底的落地，补齐了碳化硅材料产业链配套缺口，与单晶衬底、粉体原料形成产业互补，进一步完善本土供应链体系，为行业规模化生产、成本优化提供坚实支撑。
当前行业内虽已有企业可小批量供应6英寸、8英寸多晶碳化硅产品，但应用于AI芯片领域时，整体边际效益偏低。相较之下，12英寸大尺寸规格能够大幅提升芯片材料产出效率，摊薄单位生产成本，是实现大规模量产的核心所在。大尺寸产品的研发难点不只在于实现样品产出，更要兼顾制备效率与材料全域均匀性，实现“造得出，造得好”。
据了解，深圳泰坦未来技术有限公司依托中南大学组建，专注高性能碳基、陶瓷基复合新材料研发制造，产品广泛服务于半导体、新能源以及前沿创新产业。公司下设湖南泰坦未来科技有限公司，生产基地落户湖南长沙，致力于搭建兼具定制化、多元化服务能力的全产业链平台。依靠自主可控的持续技术创新，企业面向客户提供高性能复合材料产品与定制化创新方案，已构建覆盖半导体多个生产环节的完整产品矩阵。
历经两年多技术攻关，泰坦未来半导体完成从材料研发、核心制备工艺开发到终端应用验证的全链条打通，实现12英寸多晶碳化硅衬底全产业链自主可控。成立至今，企业已斩获多项国内首创成果：推出国内首款可满足氮化镓工厂使用的碳化硅涂层石墨件；自主设计制造国内首套碳化硅涂层行星式托盘；首创碳化钽涂层超临界多相法制备技术；并于2026年正式发布国内首款12英寸多晶碳化硅衬底。
泰坦未来表示，现阶段12英寸多晶碳化硅衬底正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年之后将逐步实现规模化供货。
来源：长沙晚报、泰坦未来
（中国粉体网编辑整理/初末）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
