中国粉体网讯
天成半导体攻克12英寸碳化硅材料难题
来源：天成半导体
近期，山西天成半导体材料有限公司继今年成功研制12英寸导电型碳化硅单晶材料后，依托自主研发设备再度攻克12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料技术难关，实现大尺寸碳化硅核心材料双技术路线的重大突破，为区域半导体产业高质量发展注入强劲动能。
晶盛机电：公司积极布局碳化硅产能
晶盛机电回答调研者提问时表示，公司积极布局碳化硅产能，在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目；并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化公司在全球市场的供应能力；同时，在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。
科友半导体成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶
来源：科友半导体
科友半导体在第三代半导体材料领域取得重大突破，成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶。这是继公司突破12英寸导电型碳化硅单晶制备技术后，在大尺寸碳化硅材料领域的又一重要里程碑，标志着科友在12英寸碳化硅装备与材料技术方面实现了新的跨越。
晶能秀洲基地首颗SiC功率模块下线
来源：晶能
近日，晶能秀洲基地（一期）提前完成主体建设并正式投产，首颗SiC功率模块同步顺利下线。该基地于2024年2月5日正式动工，从开工至首颗产品下线，建设周期显著短于行业平均水平。基地位于嘉兴国家高新区，占地95.4亩，是晶能继余杭、温岭之后的第三座专业化生产基地。一期产线规划年产能达60万套车规级功率模块。
晶驰机电：12吋SiC晶体生长炉交付
来源：晶驰机电
近期，晶驰机电陆续完成ATSIC-300型电阻法12吋SiC单晶生长炉向多家SiC衬底生产厂商和光学厂商的交付工作，并在某知名衬底厂商快速跑通工艺，迎来产线上首颗全尺寸12吋SiC单晶晶体下线。
环球晶宣布，12英寸碳化硅晶圆原型开发已成功
来源：环球晶
近日，环球晶（GlobalWafers）宣布，公司在核心技术研发上取得重大突破：其方形碳化硅晶圆以及具有里程碑意义的12英寸碳化硅晶圆的原型开发已成功完成，并已正式进入客户送样与验证阶段。
士兰微：8英寸SiC项目开始试生产
来源：厦门工信
近日，士兰微旗下士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线全部设备已安装到位并完成调试，开始投片试生产。该项目总投资120亿元，分两期建设，一期项目投资70亿元，投产后，产能将达到每月3.5万片，年产值约75亿元。
汉印机电：SiC外延设备项目投产
来源：盐城新闻
近日，汉印机电聚焦碳化硅外延技术成果转化，一期项目已实现全面量产，二期COB扩能项目设备正陆续进场，预计年底投产。汉印机电自主研发的6英寸、8英寸外延设备一经问世便投入生产。目前，外延晶片已经与国内多家半导体企业开展多轮调试生产。
印度建设首个碳化硅半导体工厂
印度半导体厂商SiCSem在布巴内斯瓦尔举行碳化硅半导体生产设施的奠基仪式，标志着该国首个碳化硅半导体工厂正式启动建设。该工厂总投资约200亿卢比（折合人民币约16.04亿元），规划年产6万片SiC晶圆，封装能力约9.6亿片。
参考来源：天成半导体、科友半导体、晶能、晶驰机电、盐城新闻、厦门工信
（中国粉体网编辑整理/初末）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
