中国粉体网讯 以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件技术的成熟,对电子封装材料导热性能和耐温性能提出了更高的要求,其要求该类封装材料在200℃-600℃的温度范围内还能够正常工作,因此,迫切要求开发一种新型高导热、耐高温的[更多]
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