中国粉体网讯 碳化硅粉体作为合成原料会直接影响碳化硅单晶的生长质量和电学性质,近年来,制备高纯的碳化硅粉体逐渐成为碳化硅单晶生长领域的研究热点。PVT法生长SiC单晶对SiC粉料的纯度要求较高,通常需达到5N级(纯度≥99.[更多]
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