石墨坩埚

推荐助力SiC单晶生长，TaC涂层到底强在哪？

中国粉体网讯 碳化硅单晶作为第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率器材中具有重要应用。物理气相传输（PVT）法是生长高质量SiC单晶的主流技术，但其密闭高温环境对石墨坩埚的耐腐蚀性及热场均匀性提出严苛要求。碳化钽（Ta[更多]

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