自蔓延高温合成法

推荐气流方式对高纯度碳化硅粉料合成的影响规律被揭示

中国粉体网讯 高纯SiC粉料作为生长半绝缘SiC单晶的原料，直接影响后续晶体生长的质量及电学性能。生长高质量的高纯半绝缘晶体，必须控制衬底中的氮含量，从根本上来讲，必须控制碳化硅粉料中的氮含量。传统碳化硅粉料合成主要采用固相[更多]