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推荐住友金属矿山：层压式碳化硅衬底获采用，可显著降低功率损耗

中国粉体网讯 近日，住友金属矿山株式会社宣布，其自主研发的键合型碳化硅（SiC）衬底产品“SiCkrest®”已被新电元工业株式会社用于其功率半导体——金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中。（图源：住友金[更多]