晶越半导体

推荐12英寸SiC玩家+1

中国粉体网讯 据晶越半导体官微宣布，公司继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，在7月21日研制出高品质12英寸SiC[更多]