博来纳润

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中国粉体网讯 化学机械抛光（CMP）借助于抛光液中化学试剂的化学腐蚀和纳米磨粒的机械磨削双重耦合作用，可以在原子水平上实现材料的去除，可以在0.35μm及其以下尺寸器件上同时实现局部和全局平坦化，被广泛应用于光学元件、计算机[更多]