SiC粉体

推荐高纯碳化硅粉体怎么造？主流制备方法全盘点

中国粉体网讯碳化硅具有宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点，特别适合于制造高频、大功率、抗辐射的电子器件，是半导体材料领域中较有前景的材料之一。目前工业制备SiC单晶的主流方法是物理气相传输法（PVT）[更多]