快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)

生产商：韩国Ecopia

RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。

性能和特点：

- 温度范围：室温 ~ 1500°C;

- 升温速度：200°C/s;

- 气体混合能力(带有质量流量计);

- 真空度：~10^-6Torr;