中国粉体网讯 AI算力的咽喉，被“材料”掐住了。
英特尔CEO陈立武曾点名金刚石、碳化硅、磷化铟、氮化镓、玻璃基板等五大材料是破局关键，另有产业界人士直言“InP激光器产能不足，是CPO核心卡点。”
这意味着，即便英伟达GB200/300的算力再强，没有材料的支撑，数据依然无法高速流动。
这不仅是产能问题，更是材料学的极限挑战。从陈立武看好的碳化硅/GaN供电、玻璃基板封装，到解决光互联痛点的铌酸锂、SOI，再到高功耗下的金刚石、陶瓷基板散热，“材料”已然构成了AI下半场的隐形战场。谁先突破，谁就掌握了算力的话语权。
金刚石
当前，AI算力高速迭代，高端芯片散热压力持续加大，例如英伟达Rubin Ultra单芯片功耗突破2300W，局部热流密度超过1000W/cm2，这个热量之高是难以想象的，而传统铜和铝散热片已触及物理极限。而具备超高导热性能的金刚石正成为半导体新材料的热门方向。
金刚石微粉，来源：元素六
金刚石被广为人知的是它逆天的硬度——自然界中存在的最坚硬的物质，莫氏硬度达到10。同时，金刚石也是自然界中导热系数最高的物质之一，它的导热系数高达2200W/(m·K)，是铜的5.5倍、铝的11倍，且本身是绝缘体，热膨胀系数与硅、SiC、GaN高度匹配。因此，有相关人士指出：单芯片功耗超过1400W时，金刚石不再是"可选项"而是"必需品"。
英伟达新一代Vera Rubin架构GPU已全面采用"金刚石-铜复合材料+45℃直触式液冷"方案，业界甚至还将2026年视为"金刚石散热规模化应用元年"。
碳化硅
AI数据中心单机柜功率从数十千瓦跃升至数百千瓦，兆瓦级机柜不远。电流电压同步提升，传统硅基电源转换损耗惊人。另外，AI对材料的要求特别苛刻：散热要快、耗电要少、个头要小、还得耐高温。
碳化硅耐压高、高温稳定、开关损耗远低于硅，其器件体积小巧、稳定性优异，是800V高压直流（HVDC）架构的不二之选——在高压输入整流与PFC环节效率可达97%以上，800V HVDC架构可减少输电损耗30%以上。英伟达、微软等巨头新建数据中心已将SiC电源架构作为标准配置。天科合达等国内厂商正加速8英寸衬底与外延量产，降低晶圆成本。
氮化镓
GaN则与SiC形成清晰的"高低压分工"：SiC向左守机房，GaN向右进机柜。
GaN电子迁移率高、功率密度极高，擅长高频、低压、高密度电源转换。在GPU电源模块、高频DC-DC转换器、服务器电源等"对空间与响应速度要求严苛"的环节，GaN可在缩小电源体积的同时提升功率密度。三星8英寸GaN工艺已实现成本降低30%，正加速适配数据中心规模化部署。
磷化铟
磷化铟具有不可替代性，因为它是激光器与探测器芯片唯一量产的核心衬底材料——完美匹配光纤通信1310nm、1550nm低损耗窗口。在CPO领域，行业主流技术是将光引擎与电芯片集成封装在同一基板，而CPO核心的高速发光器件，主流方案100%依赖磷化铟激光器。
图片来源：住友电工
回到那位产业高管的警示——这句话背后是一组残酷的数据：2025年全球InP衬底需求约200-210万片，有效供给仅60-70万片，供需缺口超过70%，预计将持续到2030年。高盛更直接预警："光源供应将在2027年前持续紧张，2028年下半年随着供应链完成产能扩建，供应状况才可能趋于平衡。"
当前，全球都处在“磷化铟短缺”的恐慌中，谁能锁定产能，拿到更多的货，谁就有话语权。
薄膜铌酸锂
依托铌酸锂材料本身的强线性电光效应（Pockels效应），薄膜铌酸锂能在低驱动电压下实现大带宽、高线性度（高保真）的光信号调制，这使其适用于中长距离和高带宽的光传输应用，如骨干网、城域网等高速数据链路。此外，薄膜铌酸锂具有高折射率对比和良好的光场约束，可实现更高集成度，改善器件尺寸和功耗。
铌酸锂单晶薄膜，来源：济南晶正电子科技有限公司
在光调制器领域，薄膜化后的铌酸锂电光系数是磷化铟的3倍、硅光的上百倍，1.8V低压即可完成100GHz以上超高速调制，功耗降低30%-50%，单通道轻松跑400G。
当前AI算力呈爆炸增长局面，数据中心光互连从400G冲向800G/1.6T/3.2T，传统材料的性能局限性逐渐显现，薄膜铌酸锂有望成为支撑未来更高速光传输调制环节的重要材料。当前全球仅4家企业掌握8英寸高端晶圆核心量产能力，供需缺口超70%。
SOI（绝缘体上硅）
如果说硅是芯片的“血肉”，SOI则是硅光子的“骨骼”。这种“顶层硅—埋氧层—衬底”的三明治结构，通过在硅层下方植入二氧化硅绝缘层，彻底解决了电子与光子的串扰难题。它不仅将寄生电容降低60%以上，让电信号跑得更快、更省电，更关键的是，顶层硅与氧化层巨大的折射率差，天然构成了光波导的“管壁”，使光信号能在芯片上无损弯折传输。
在AI时代，SOI是制造光模块、CPO引擎及量子芯片无可替代的核心衬底，全球产能高度集中于法国Soitec，国产化迫在眉睫。
玻璃基板
随着GPU、HBM与Chiplet堆叠推动封装向"大尺寸、高密度、高速互连"演进，传统有机基板、硅中介层逐步面临尺寸、成本与性能瓶颈。
玻璃基板通过借助玻璃通孔（TGV）实现上下电气互连，精准切入有机基板与硅中介层之间的市场空白。它具备热膨胀系数可调（与硅芯片匹配）、介电损耗极低、表面平整度极高的本征优势，英特尔测试显示其可减少50%图形失真，最高提升10倍互连密度。
当前全球半导体龙头纷纷加速布局，英特尔、台积电、三星电机、SK集团、LG集团相继入场，一场围绕玻璃基板的商业化竞速已然开启。
陶瓷基板
在密度集成封装中，高功率器件聚在一起同时工作，意味着大量热量聚集，封装基板是主要的散热部件。当AI芯片功耗冲破2000W大关，传统FR-4有机基板因导热性差（仅0.3W/m·K）和热膨胀系数失配，面临严重的翘曲与脱层风险。陶瓷基板凭借高导热、高绝缘、热匹配佳三大本征属性，成为高功耗场景的刚需。
高导热氮化硅陶瓷基板，图源：中新高材
其中，氮化铝（AlN）以170-220W/m·K的导热率，成为800G/1.6T高速光模块散热的首选；而氮化硅（Si3N4）凭借优异的弯曲强度和抗热震性，是SiC/GaN高压功率模块的封装基石。
小结
本文标题那个省略号，除了避免标题过长，小编还在表达一种想象空间，那便是是AI算力材料革命的真实写照：材料清单还在拉长。当算力竞争从"拼制程"走向"拼材料"，对我国来讲，这是挑战，更是国产物料换道超车的窗口期。
AI下半场的牌桌已经摆好，材料，就是最直接的筹码。
参考来源：
中国证券网、21世纪经济报道、粉体网、先进封装材料、半导体在线
（中国粉体网/山川）
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