当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。
为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。
在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。苏州德龙激光股份有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
德龙激光（688170.SH）2005年由赵裕兴博士创办，位于苏州工业园区，2022年4月29日科创板上市。
公司是一家技术驱动型企业，自成立以来，一直致力于新产品、新技术、新工艺的前沿研究和开发。公司专注于激光精细微加工领域，凭借先进的激光器技术、高精度运动控制技术以及深厚的激光精细微加工工艺积淀，聚焦于半导体、电子、光伏、锂电及面板显示等应用领域，为各种超薄、超硬、脆性、柔性及各种复合材料提供激光加工解决方案。同时，公司通过自主研发，目前已拥有纳秒、超快（皮秒、飞秒）及可调脉宽系列固体激光器的核心技术和工业级量产的成熟产品。
德龙激光肩负着“用激光开创微纳世界”的使命，致力于成为在精细微加工领域具备全球影响力的激光公司。
产品介绍
1、碳化硅晶锭激光切片设备
本设备用于碳化硅晶锭/片的激光切片加工，激光加工完成后配合辅助的分片装置，完成晶片切割后的分片。材料损耗小，加工效率高，设备运行无需耗材，加工成本低。
■ 设备优势
◆ 材料损耗小
◆ 加工效率高
◆ 设备运行无需耗材
◆ 加工成本低
■ 应用领域
应用于碳化硅晶锭（片）的晶圆切片加工
■ 加工效果示例图
2、碳化硅晶圆激光切割设备
■ 设备优势
◆ 切割速度快，切割效果好，良率高
◆ 提供整套的裂片&扩片设备，完整的解决方案
◆ 工艺成熟，可针对不同类型的晶圆进行切割
■ 应用领域
应用于航天航空、电力电子等行业微波器件，功率器件的晶圆片的切割
（以碳化硅材料为基板的晶圆）
■ 加工效果示例图
会议主题：
1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望
2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径
3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺
4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展
5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新
6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能
7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比
8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制
9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升
10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型
11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用
12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制
13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标
14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析
15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控
16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术
17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发
18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式
报名送产业研究报告（限前50名）
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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