当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。
为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。
在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。上海提牛科技股份有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
上海提牛科技股份有限公司成立于2004年10月，坐落在中国上海市奉贤区，致力于半导体湿制程领域设备和中央供液系统(CDS)的研发、生产、销售和服务。
公司被认定为国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业，上海市创新型中小企业、上海市"专精特新"中小企业和上海市科技小巨人企业。主要从事半导体湿制程领域设备(6-12寸)如:集成电路、大硅片材料、碳化硅等制程中的湿法刻蚀清洗设备。高端湿法刻蚀清洗设备自2006年开启新篇章，提供给客户从设计、制造、组装、调试、测试、售后一体化服务。
自2010年以来，实施SEMIS2标准，以满足客户高品质需求;先后导入了ERP管理系统和IS09001、1S014001、IS045001管理体系为生产管理保驾护航。
产品介绍
1、槽式湿法刻蚀清洗设备
以纯水、酸性药液或有机试剂作为清洗剂，采用喷淋、热浸等清洗方式，对晶圆进行批量清洗；设备运用了公司自主设计的AWB框架，占地面积与行业内相同机台相比小20%左右，同时可有效防止机台因焊接老化而漏水漏酸；可根据客户要求定制化设计，搭配使用无片架清洗技术、高产能排程技术、IPA干燥技术、芯片减薄后清洗与干燥技术，清洗效果好、效率高。公司此类设备成熟稳定，设备破片率小于万分之一。
用于晶圆制造中薄膜沉积前后、干法刻蚀前、离子注入后、研磨前后、退火前后、抛光前后清洗以及化学湿法刻蚀清洗等。
2、部件清洗设备
采用纯水、酸性等药液，对生产中所用陶瓷盘、炉管、离子注入机部件、CVD部件、PVC部件等其他零部件进行清洗,能够根据不同尺寸的零部件设计不同的清洗模式，高效去除部件上的沾污，清洗效果好，清洗效率高。
用于晶圆制造及光伏、LED等领域制造过程中使用的零部件的清洗。
3、化学品供液设备（CDS）
以软件程序控制为核心，可与生产设备信息互通，根据客户所需比例自动化精准配比与混合供酸，将集中储存的液体以稳定的流量、流速和达到设定要求的压力，实现液体供应至工艺设备，且不会造成液体泄露，在供应输送过程中不会对设备产生二次污染。
可应用于半导体、LED、光伏、显示屏等领域。
会议主题：
1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望
2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径
3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺
4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展
5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新
6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能
7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比
8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制
9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升
10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型
11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用
12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制
13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标
14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析
15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控
16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术
17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发
18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式
报名送产业研究报告（限前50名）
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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