中国粉体网讯 随着集成电路先进制程持续向纳米级演进、真空电子器件向高频高功率方向升级，超高纯难熔金属的战略地位不断凸显。这类纯度达到99.999%（6N）及以上的钨、钼、钽、铌等金属材料，是晶圆制造环节溅射靶材、离子注入核心[更多]
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